9 月 3 日消息，韓媒 etnews 當?shù)貢r間昨日報道稱，三星電子和 SK 海力士的“類 HBM 式”堆疊結構移動內存產(chǎn)品將在 2026 年后實現(xiàn)商業(yè)化。

消息人士表示這兩大韓國內存巨頭將堆疊式移動內存視為未來重要收入來源，計劃將“類 HBM 內存”擴展到智能手機、平板電腦和筆記本電腦中，為端側 AI 提供動力。

綜合IT之家此前報道，三星電子的此類產(chǎn)品叫做 LP Wide I/O 內存，SK 海力士則將這方面技術稱為 VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術路線，即將扇出封裝和垂直通道結合在一起。

三星電子的 LP Wide I/O 內存位寬達 512bit，是現(xiàn)有 LPDDR 內存的 8 倍，較傳統(tǒng)引線鍵合擁有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 帶寬。該內存將于 2025 年一季度技術就緒，2025 下半年至 2026 年中量產(chǎn)就緒。

而 SK 海力士的 VFO 技術驗證樣品將導線長度縮短至傳統(tǒng)內存的不到 1/4，能效也提升了 4.9%。雖然該方案帶來了額外 1.4% 的散熱量，但封裝厚度減少了 27%。

報道指出，關于這些堆疊式移動內存如何同處理器集成尚無定論，討論中的方案包括類似 HBM 的 2.5D 封裝或 3D 垂直堆疊。

半導體封裝行業(yè)人士表示，移動處理器如何設計與布置將影響堆疊式移動內存的配置與連接方式，這意味著新一代移動內存將根據(jù)合作伙伴的需求定制供應，徹底改變移動 DRAM 市場格局。