1月26日消息,據日經新聞報道,中國封測廠商通富微電已經宣布試生產 HBM2 工藝,而在此之前,中國存儲器制造商長鑫存儲也已經開始生產 HBM2。
HBM是高帶寬內存芯片,其基于多顆DRAM芯片通過先進封裝工藝堆疊而成,主要面向高性能AI芯片應用。比如英偉達、AMD、英特爾的AI芯片封裝內都有集成HBM芯片。但是由于美國對華半導體限制政策,海外HBM芯片的對華出口收到了限制,這也使得中國AI芯片的發展就必須要依賴于國產HBM廠商的突破。
通富微電是全球第三大第三大半導體封裝和測試服務提供商,具備先進封裝能力,不過此前其并未有提供HBM芯片的封裝服務。據報道稱,他們很可能正在利用第三方來源的存儲器和半導體必需品,然后利用自己的專業知識組裝 HBM2 芯片。
需要指出的是,目前SK海力士最先進的HBM芯片即將進展到了HBM4,HBM2與之相比落后了兩代,但即便如此,這對于中國來說也是突破。
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