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消息稱三星電子2025年初引進其首臺ASML High NA EUV光刻機

發布日期：2024-10-31     313 次

10 月 30 日消息，韓媒 ETNews 當地時間昨日報道稱，三星電子已決定 2025 年初引進其首臺 ASML High NA EUV 光刻機，正式同英特爾、臺積電展開下代光刻技術商業化研發競爭。

三星電子此前同比利時微電子研究中心 imec 合作，在后者與 ASML 聯手建立的 High NA EUV 光刻實驗室進行了對 High NA 光刻的初步探索；此次引入自有 High NA 機臺將加速三星的研發進程。

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▲ ASML 首代 High NA EUV 光刻機 EXE:5000

考慮到精密的 High NA EUV 光刻機需要一段時間用于安裝和調試，該機臺有望最早于明年中旬投入研發使用。由于三星目前半導體先進制程路線圖已規劃至 SF1.4 節點（注：2027 年量產），采用 High-NA 光刻的制程最早也需要等到 SF1。

三星在先進制程代工領域的兩家主要對手中，英特爾已完成第二臺 High NA EUV 光刻機安裝，臺積電的首個機臺也將于今年內實現交付；此外在存儲領域，SK 海力士的首臺 High NA EUV 光刻機則有望 2026 年引入。


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